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                  聚力碳化硅襯底,“黑馬”天成半導體小步快跑,迭代進階

                  聚力碳化硅襯底,“黑馬”天成半導體小步快跑,迭代進階

                  2022年09月22日 13:02 - 來源:中新網山西

                    中新網山西新聞9月22日電 隨著數字經濟和電子信息產業的迅猛發展,以碳化硅等為代表的第三代半導體已成為全球高新技術和產業競爭的戰略制高點,其在國民經濟、國防安全、國際競爭和社會民生等領域的重要戰略意義和作用已在全球業界形成共識。碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩定性的晶體生長工藝則是其中最核心的技術,碳化硅材料也成為擺脫進口依賴,滿足節能減排、綠色發展、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求。

                    我國是碳化硅最大的應用市場。在新能源汽車,光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天、5G通訊等領域和其他三代半導體的核心應用場景,都以我國作為最大主場。全球生產的碳化硅器件,50%以上在中國應用。

                  圖為高純碳化硅粉料

                    在碳化硅器件結構成本中,碳化硅襯底的占比為47%。作為整個產業鏈中技術壁壘最高的環節,無論是今后的降低成本還是大規模產業化推進,碳化硅襯底的核心作用都無可替代。

                    山西天成半導體材料有限公司由多位碳化硅領域科研和量產經驗人員共同發起,從2021年8月開始籌備,僅半年中試完成,導電型和半絕緣型6寸晶錠同步出爐,并成為2022創客中國新材料大賽企業組山西省唯一入圍企業。

                    如何制備高純碳化硅粉料是碳化硅單晶生長領域研究熱點和核心技術,天成半導體采用自主改進的自蔓延高溫合成法制備的高純碳化硅粉料經第三方機構檢測,純度達到6N電子級碳化硅粉料。

                    天成半導體研發團隊從設備研制、粉料、籽晶、熱場設計到襯底制備,已經形成完整自主閉環。晶錠經蘇州揚帆半導體做代加工切片,襯底經過米格實驗室檢測,TSD≤500㎠、TED≤2500㎠、BPD≤500㎠,MD≤0.5ea/㎠,導電性0.015~0.025ohm•cm。產品數據國內先進,經過外延廠試用反饋后與多家下游企業達成合作意向。

                    天成半導體從立項到中試完成產品驗證過程,使用經費少,研發速度快。截至目前,該公司在裝備、粉料、籽晶等業務中已經完成數百萬營收。

                    因大規模廠房建設投產周期長,為快速響應市場,天成半導體公司以3個月為一建設單元,小步快跑,模塊化建設,目前二期廠房10000平米已接近驗收,規劃年產10萬片正分階段進行中,預計2023年1月二期一單元建成,預計產能達到月產1000片,并已有客戶提前預定。

                    項目入駐山西太忻一體化經濟區,在山西省政府、太原市政府及中北高新開發區產業園的大力支持下,給予天成廠房、資金、能耗等各方面政策支持。該公司團隊將持續憑借系統的專業知識、成熟的制造能力、知識產權組合以及地緣優勢等多方面的優勢,助力中國半導體產業健康持續發展,并在推動經濟全球化過程中發揮關鍵作用。(完)

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